nokia 5130c не заряжается

[SOUNDMAN]

Я прошу прощения, а в чем разница стабилитрона и диода Зенера?

В данном случае стоит диод Шоттке, о чем я мельком в теме писал

У человека и вправду выбит диод Шотки, а по Вашему вопросу могу ответить, что разница в эффекте, при пробитии, а это целая лекция...

[zabavinalex]

У человека и вправду выбит диод Шотки, а по Вашему вопросу могу ответить, что разница в эффекте, при пробитии, а это целая лекция...

Я не привык в плане электроники обращаться к вики, но все же вот выписка от туда, да и в институте то же самое говорили:

Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).

В основе работы стабилитрона лежат два механизма:

    Лавинный пробой p-n перехода
    Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера (англ.)русск. в англоязычной литературе)

Несмотря на схожие результаты действия, эти механизмы различны, хотя и присутствуют в любом стабилитроне совместно, но преобладает только один из них. У стабилитронов до напряжения 5,6 вольт преобладает туннельный пробой с отрицательным температурным коэффициентом, выше 5,6 вольт доминирующим становится лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом. При напряжении, примерно равном 5,6 вольт, оба эффекта уравновешиваются, поэтому выбор такого напряжения стабилизации является одним из способов снижения его зависимости от температуры[1].

Пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей заряда. Поэтому в стабилитроне инжекционные явления, связанные с накоплением и рассасыванием носителей заряда при переходе из области пробоя в область запирания и обратно, практически отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах в качестве фиксаторов уровней и ограничителей.