Интересная статья про флешки в наших телефонах. Слил с http://www.gsmforum.ru/threads/11817...%B5%D0%B7-jtag
Наличие битых блоков в NAND чипах памяти это нормальная вещь, и вовсе не значит о том что чип не рабочий. Битые блоки могут быть в чипе стразу в момент продажи; кроме того они появляются в чипе в процессе эксплуатации.
Вот например в документации на чипы Самсунг указано что на общее количество 4096 блоков допускается 100 битых, т.е. при ~2,4% битых блоков флеш чип все-равно является полностью работоспособным.
Единственне что гарантируется производителем NAND памяти (Toshiba, Samsung, Hynix или будь кто еще) это 100%-я работоспособность самого первого блока (адрес 0х0000000) на первых тысяче циклов записи/чтения. Такая гарантия необходима для того чтоб в любом случае можно было запустить код начального загрузчика, который уже в свою очередь сможет вычитать все последующие необходимые ему данные с учетом возможного наличия на "пути чтения" битых блоков.
P.S. Самый простой способ обхода битого блока - это читать/записывать данные в ближайший следующий хороший блок. Но такой метод не стработает например для флеширования областей зарезервированных прошивкой как файловая система - здесь каждая страница адресуется относительными смещениями и если в процессе проливки этой зоны "разорвать" ее чтобы обойти битый блок - то поплывут все относительные адреса и файловая система потеряет целостность. И если такого типа области не прошиваются оффициальным прошивальщиком через download mode то конечно проще будет впаять другой NAND чип чем разбираться как правильно пересчитать всю область.
